簡述信息一覽：

• 1、盤點:2023年值得關(guān)注的3D打印新材料、新工藝和新應(yīng)用突破
• 2、2023年佳士得春拍——玉器篇(工藝精品)
• 3、臺積電2nm工藝2023年風險試產(chǎn)的良品率能否達到90%?
• 4、拿著2023年的步槍圖紙和資料,回到1803年,忽略材料上的差距,在技術(shù)上能...

盤點:2023年值得關(guān)注的3D打印新材料、新工藝和新應(yīng)用突破

高分子材料：電子3C行業(yè)***用金屬3D打印技術(shù)，如榮耀Magic V2的鈦合金鉸鏈，顯示了在復(fù)雜結(jié)構(gòu)中的新應(yīng)用潛力。新工藝突破無支撐金屬3D打?。憾嗉夜救鏓OS、鉑力特、華曙高科等在工藝上取得重大進展，減少零件數(shù)量，提高制造效率。

在2023年11月15日，Nanoscribe正式發(fā)布雙光子灰度光刻（2GL）技術(shù)，這項革命性3D微加工技術(shù)，通過激光束與高速振鏡的高頻同步操作，實現(xiàn)單體素調(diào)諧，達到光學級的微納加工特征和結(jié)構(gòu)。

納米技術(shù) 納米技術(shù)是一種新興的工藝技術(shù)，在制造、醫(yī)療、電子等領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用。它通過操作和控制物質(zhì)在納米尺度范圍內(nèi)的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，從而實現(xiàn)材料性能的突破。納米技術(shù)可以提高材料的強度、硬度、耐磨性，同時降低其重量和成本。

制造新工藝 制造新工藝是提升生產(chǎn)效率、優(yōu)化產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵。其中包括精密加工技術(shù)、數(shù)控機床應(yīng)用技術(shù)、自動化生產(chǎn)線配置技術(shù)等。例如，激光切割、焊接技術(shù)的廣泛應(yīng)用，使得金屬加工更加精確、高效；3D打印技術(shù)的成熟，實現(xiàn)了復(fù)雜結(jié)構(gòu)的快速成型，為個性化定制生產(chǎn)提供了可能。

2023年佳士得春拍——玉器篇(工藝精品)

年佳士得春拍——玉器篇（工藝精品）本次拍賣涵蓋了眾多工藝精品級別的玉器，每一件作品都展現(xiàn)了中國玉器工藝的精湛與深厚的文化底蘊。

于5月31日本次春季拍賣期間，佳士得香港將非常榮幸首次舉辦私人珍藏高古玉器專場拍賣，以饕藏家。

月30日，本年度的佳士得香港春拍浮生閑趣專拍將呈獻一件清代乾隆皇帝御制的黃玉雕提梁禾亭卣。卣蓋內(nèi)底、卣身內(nèi)底及外底均刻有銘文。根據(jù)清宮內(nèi)務(wù)府《活計清檔》記載，這三處銘文均為一名受乾隆皇帝喜愛的蘇州玉工朱彩，受皇帝欽命而鐫刻其上。

精彩紛呈：佳士得香港春季拍賣 5月香港春拍期間，佳士得香港中國瓷器及藝術(shù)品部一連舉行了“梵華古韻”佛教藝術(shù)拍賣、“禹火紫霞”專拍、“寶芳閣官窯瓷器珍藏”、載譽歸來的“浮生閑趣”精致文房用品及器物拍賣和“重要中國瓷器及工藝精品”五場精心策劃的拍賣，共錄得近4億港元的成交總額。

臺積電2nm工藝2023年風險試產(chǎn)的良品率能否達到90%?

臺積電2nm工藝進展迅速，2023年風險試產(chǎn)有望臺積電，全球芯片制造巨頭，近期宣布其2nm工藝的研發(fā)已進入關(guān)鍵階段，預(yù)計在2023年風險試產(chǎn)的良品率將達到90%，這標志著其將保持每兩年推出一代新工藝的節(jié)奏。今年一季度，5nm工藝順利量產(chǎn)，而3nm工藝***于明年風險試產(chǎn)，隨后在2024年大規(guī)模投入生產(chǎn)。

近期，關(guān)于2nm工藝的消息表明，該技術(shù)的研發(fā)已進入高級階段，預(yù)計將在2023年取得突破性進展。臺積電對2nm工藝在2023年年底達到90%的風險試產(chǎn)良品率抱持樂觀態(tài)度，這意味著他們***在這一年進行風險試產(chǎn)，為次年的大規(guī)模投產(chǎn)做準備。

而反觀臺積電方面，早在2018年就已經(jīng)量產(chǎn)了7nm，5nm也開始實現(xiàn)穩(wěn)定出貨，華為麒麟9000以及蘋果的A14和M1均是基于5nm工藝的產(chǎn)品。另外，3nm、2nm等更為先進的制程工藝也在積極布局中，根據(jù)相關(guān)媒體的報道，目前臺積電2nm工藝已經(jīng)取得重大突破，研發(fā)進度超前。業(yè)界普遍看好其2023年下半年風險試產(chǎn)良率，甚至可能會達到90%。

頻頻發(fā)聲的是臺積電，在2019年6月份，臺積電正式宣布啟動2nm制程研發(fā)，并成立研發(fā)團隊。依據(jù)官方說明，臺積電在2nm制程上將***用以 環(huán)繞式柵極技術(shù)（GAA） 為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu)，***于2023年下半年進行風險性試產(chǎn)，于 2024年量產(chǎn)。

臺積電2nm工藝取得重大內(nèi)部突破，量產(chǎn)指日可待據(jù)報道，臺灣積體電路制造公司（TSMC）在2nm工藝研發(fā)上取得顯著進展，盡管具體細節(jié)尚未公開，但預(yù)計這項突破將促使2nm工藝在2023年下半年進行風險性試產(chǎn)，緊接著在2024年進入大規(guī)模生產(chǎn)階段。

據(jù)其2019年年報，5nm工藝已進入量產(chǎn)階段，3nm研發(fā)持續(xù)，而2nm的研發(fā)速度被顯著提升。臺積電在7nm工藝上引入了EUV極紫外光刻技術(shù)，5nm上也成功實現(xiàn)轉(zhuǎn)移，并在3nm上展現(xiàn)了出色的光學性能和預(yù)期的良品率，因此，2nm及后續(xù)工藝的重點將聚焦于優(yōu)化EUV技術(shù)的質(zhì)量與降低成本。

拿著2023年的步槍圖紙和資料,回到1803年,忽略材料上的差距,在技術(shù)上能...

材料限制：1803年的冶金技術(shù)相對落后，可能無法生產(chǎn)出與現(xiàn)代材料相匹配的高強度合金。 制造工藝限制：即使有了合適的材料，由于當時缺乏現(xiàn)代機械加工技術(shù)，可能無法實現(xiàn)現(xiàn)代步槍精密的加工要求。 設(shè)備限制：現(xiàn)代步槍的生產(chǎn)需要大量的機械設(shè)備和電子設(shè)備，而這些設(shè)備在1803年是不存在或不完善的。

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